Interdifusão em estruturas de poços quânticos


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O efeito da interdifusão atômica nas propriedades ópticas de poços quânticos finos de GaAs/AlAs foi estudado empregando espectroscopia de fotoluminescência. Diferentes perfis de difusão foram induzidos nas interfaces através de tratamentos térmicos a uma temperatura fixa por diferentes períodos de tempo. Os espectros de fotoluminescência se deslocam na direção do azul e a força de oscilador se anula para um comprimento de difusão crítico, indicando uma transição de gap direto para indireto. Ver figura abaixo.

Fig. 1 Espectros de fotoluminescência de poços quânticos de GaAs/AlAs a 77 K após diferentes tempos de recozimento. As transições estão indicadas por flechas.

Também foi estudada a interdifusão atômica em poços quânticos de InGaAs/InP através de reflexão de raios-x de baixo ângulo, difração de raios-x e fotoluminescência. Aqui também foi observado um deslocamento do pico de fotoluminescência na a direção do azul. Experimentos de raios-x permitiram avaliar o coeficiente de interdifusão de As e P.

Os resultados obtidos se encontram disponíveis nas seguintes referências:

  • Interdiffusion studies in InGaAs/InP multiple quantum wells by low angle X-ray reflection, X-ray diffraction and photoluminescence

    J. Brant-de-Campos, R. R. de Avillez, M. Pamplona Pires, P. L. Souza e B. Yavich
    Apresentação no 9th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Belo Horizonte, MG, Brasil, fevereiro de 1999.

  • Low Angle, X-Ray Reflection Studies of InGaAs/InP Multiple Quantum Wells

    J. Brant-de-Campos, R. R. de Avillez, P. L. Souza e B. Yavich
    Brazilian Journal of Physics 27, 316, 1997 e apresentação no 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Águas de Lindóia, SP, Brasil, fevereiro de 1997.

  • Optical Investigation of Interdiffusion in Narrow GaAs/AlAs Quantum Wells

    J. S. Michaelis, P. L. Souza e B. Yavich
    Brazilian Journal of Physics 27, 173, 1997 e apresentação no 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Águas de Lindóia, SP, Brasil, fevereiro de 1997.
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